[{"data":1,"prerenderedAt":-1},["ShallowReactive",2],{"detail-sidebar-cat-0-en-105":3,"doc-seo-562861-105":59,"doc-detail-562861-en":130},{"code":4,"msg":5,"data":6},0,"success",[7,13,18,23,28,33,38,43,48,51,55],{"id":8,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":10,"show_sort_weight":11,"slug":12},1,"Document","Story & Novel",90,"story-novel",{"id":14,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":15,"show_sort_weight":16,"slug":17},2,"Literature",80,"literature",{"id":19,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":20,"show_sort_weight":21,"slug":22},4,"Exam",70,"exam",{"id":24,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":25,"show_sort_weight":26,"slug":27},5,"Comic",60,"comic",{"id":29,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":30,"show_sort_weight":31,"slug":32},6,"Technology",50,"technology",{"id":34,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":35,"show_sort_weight":36,"slug":37},7,"Healthcare",40,"healthcare",{"id":39,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":40,"show_sort_weight":41,"slug":42},8,"Research & Report",30,"research-report",{"id":44,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":45,"show_sort_weight":46,"slug":47},9,"Religion & Spirituality",20,"religion-spirituality",{"id":46,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":49,"show_sort_weight":46,"slug":50},"World Cup","world-cup",{"id":52,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":53,"show_sort_weight":52,"slug":54},10,"Lifestyle","lifestyle",{"id":56,"doc_module":4,"doc_module_name":9,"category_name":57,"show_sort_weight":24,"slug":58},19,"General","general",{"code":4,"msg":60,"data":61},"ok",{"site_id":62,"language":63,"slug":64,"title":65,"keywords":66,"description":67,"schema_data":68,"social_meta":123,"head_meta":125,"extra_data":127,"updated_unix":129},105,"hu","power-electronics-switching-elements-25-power-mosfets-inversion-layer-and-characteristics","TELJESÍTMÉNYELEKTRONIKAKAPCSOLÓELEMEI - 2.5. TELJESÍTMÉNY-MOSFET-EK - Inverterziós réteg és jelleggörbék","","A teljesítmény MOSFET-ek működését és felépítését ismerteti, különös tekintettel a növekményes n-csatornás szerkezetre. Bemutatja a drain, source és gate szerepét, valamint a VDMOS szerkezeti elnevezésének gyártási logikáját és a rétegek hatását. Részletezi a pozitív gate-source vezérlőfeszültség hatására kialakuló kiürített és inverziós réteget, a küszöbfeszültség fogalmát, továbbá a parazita elemek következményeit. Leírja a zárási, aktív és ohmos tartomány feltételeit és a kapcsolódó kimeneti jelleggörbék jellegét.",{"@graph":69,"@context":122},[70,84,105],{"@type":71,"itemListElement":72},"BreadcrumbList",[73,77,79,82],{"item":74,"name":75,"@type":76,"position":8},"https://docshare.wps.com","Home","ListItem",{"item":78,"name":9,"@type":76,"position":14},"https://docshare.wps.com/document/",{"item":80,"name":30,"@type":76,"position":81},"https://docshare.wps.com/document/technology/",3,{"item":83,"name":65,"@type":76,"position":19},"https://docshare.wps.com/document/power-electronics-switching-elements-25-power-mosfets-inversion-layer-and-characteristics/562861/",{"url":83,"name":65,"@type":85,"image":86,"author":91,"headline":65,"publisher":94,"fileFormat":97,"inLanguage":63,"description":67,"dateModified":98,"datePublished":99,"encodingFormat":97,"isAccessibleForFree":100,"interactionStatistic":101},"DigitalDocument",{"url":87,"@type":88,"width":89,"height":90},"https://docshare.wps.com/thumbnails/power-electronics-switching-elements-25-power-mosfets-inversion-layer-and-characteristics/562861.png","ImageObject",300,407,{"name":92,"@type":93},"ahduag","Person",{"url":74,"name":95,"@type":96},"DocShare","Organization","application/pdf","2026-10-14","2026-10-12",true,{"@type":102,"interactionType":103,"userInteractionCount":24},"InteractionCounter",{"@type":104},"ViewAction",{"@type":106,"mainEntity":107},"FAQPage",[108,114,118],{"name":109,"@type":110,"acceptedAnswer":111},"Milyen előnyökkel rendelkeznek a teljesítmény MOSFET-ek a bipoláris teljesítmény tranzisztorokhoz képest?","Question",{"text":112,"@type":113},"Nagy kapcsolási sebességük és feszültségvezérelt jellegük miatt kedvezőek a bipoláris teljesítmény tranzisztorokhoz viszonyítva.","Answer",{"name":115,"@type":110,"acceptedAnswer":116},"Mitől függ a MOSFET zárási állapota, és hogyan definiálható a küszöbfeszültség?",{"text":117,"@type":113},"Zárásban van, ha uGS - UGS(th) \u003C 0. A küszöbfeszültség az a gate-source feszültségérték, amelynél az inverziós réteg kezd kialakulni.",{"name":119,"@type":110,"acceptedAnswer":120},"Mikor üzemel a MOSFET az aktív tartományban, és milyen közelítéssel számítható a draináram?",{"text":121,"@type":113},"Aktív tartományban, ha 0 \u003C uGS - UGS(th) \u003C uDS. Itt a drain áram gyakorlatilag uDS-től független, és közelítve iD ≈ ki × [uGS - UGS(th)]^2 szerint alakul.","https://schema.org",{"og:url":83,"og:type":124,"og:title":65,"og:site_name":95,"og:description":67},"article",{"robots":126,"canonical":83},"index,follow",{"doc_id":128,"site_id":62},562861,1791817307,{"code":4,"msg":5,"data":131},{"doc_id":128,"user_id":132,"nickname":92,"user_avatar":133,"doc_module":4,"category_id":29,"category_name":30,"doc_title":65,"doc_description":67,"doc_content":134,"file_id":135,"file_url":136,"file_type":137,"file_size":138,"view_count":24,"is_deleted":4,"is_public":8,"is_downloadable":8,"audit_status":8,"page_count":139,"language":140,"language_code":63,"site_id":62,"html_lang":141,"table_of_contents":142,"faqs":143,"seo_title":144,"seo_description":67,"update_tm":145,"read_time":26},3985747870414,"https://ap-avatar.wpscdn.com/davatar_9964176cb1d06d4a9deccf72a44ae3dc","BUDAPESTI MÛSZAKI FÕISKOLAKANDÓ KÁLMÁN VILLAMOSMÉRNÖKI FÕISKOLAI KAR  \nAUTOMATIKA INTÉZET  \nBadacsonyi Ferenc  \nTELJESÍ TMÉNYELEKTRONIKA  \nTELJESÍTMÉNYELEKTRONIKAKAPCSOLÓELEMEI  \n(2. fejezet második rész)  \nBUDAPEST, 2002.  \n2.5. TELJESÍ TMÉNY-MOSFET-EK  \nA teljesítmény MOSFET-ek (MOSFET - metal-oxide semiconductor field effect transistor = fém-oxid félvezetõ térvezérlésû tranzisztor) az 1980-as évek elejétõl állnak rendelkezésre. Elõnyõs tulajdonságuk a bipoláris teljesítmény tranzisztorokhoz viszonyítva a nagy kapcsolási sebesség és a feszültségvezérelt jelleg.  \nA 2. 37a ábra mutatja egy növekményes n-csatornás MOSFET szimbólumát. A drain (D), source (S) a fõáramköri, illetve a gate (G) a vezérlõ kivezetés. A való ságban egy teljesítmény MOSFET egy kristályban kiképzett párhuzamos elemi MOSFET-ekbõl épül fel. A MOSFET egy elemi tranzisztorának a keresztmetszetét a 2. 37b ábra mutatja, amely négy eltérõ szennyezésû rétegbõl áll. Az n + n-p n + struktúrában a „+ ” illetve a „− ” indexek az erõs illetve a gyenge szennyezettségre utalnak. Ellentétessorrendben szennyezett, ún. p-csatornás MOSFET is gyártható, amelynek alkalmazása kevésbé elterjedt. A p-csatornás MOSFET szimbólumánál a nyíl ellentétes irányú .  \nA 2. 37b ábrán bemutatott struktúrát VDMOS-nak hívják, ami vertikáli sandiffundált MOSFET-et jelent. Ez az elnevezés mintegy leírja az eszköz gyártási sorrendjét, valamint a rétegek elhelyezkedésére is utal. A rétegek geometriai alakja befolyásolja a MOSFET tulajdonságait, de az alapvetõ fizikai mûködésben nagy különbség nincsen, ezért a bemutatott struktúrát tárgyaljuk. A rétegek geometriai kialakítá sára általában a tranzisztor elnevezésében utalnak a gyártók, pl. VMOS, HEXFET stb.  \niD  \nG  u GS    \n(a)  \nD  \nu DS  \nS  \nDrain  \nParazita BJT  \nCsatorna hossz  \nBelsõ dióda  \n| n + |  |  |  |  |  |\n| --- | --- | --- | --- | --- | --- |\n|  n –    iD\u003Cbr>\u003Cbr> n p n\u003Cbr>|  |  |  | (drift)  |  |\n|  |  |  | |  |  |\n|  |  |  |  |    n p n  |  |\n\nGate oxide  Test (body) SiO 2 Gate vezetõ  Field oxide  \nSource (b)  \n2.37. ábra. N-csatornás, n ö vekményes MOSFET: (a) szimbóluma,(b) keresztmetszete  \nPozitív uDS feszültségnél az n-p átmenet záróirányban van igénybe véve. Ez az átmenet nulla vagy negatív u GS gate-source vezérlõ feszültségnél szigetel, viszont megfelelõ nagyságú pozitív u GS-nél egy áramvezetésre alkalmas n-típusú csatorna jönlétre a p rétegben a drain és source között. A csatorna kialakulását a 2.38. ábraszemlélteti. A folyamat a következõképpen magyarázható:  \nA gate vezetõ, mint az egyik elektróda, a felette elhelyezkedõ szilíciumdioxid (gate oxid) és az azt követõ szennyezett szilícium, mint a másik elektróda, egy jó minõségû kapacitást képez. Ha kis pozitív u GS gate-source feszültséget adunk erre akondenzátor töltésmegoszlás struktúrára, a pozitív gate elektródából induló villamos  \ntér eltaszítja a többségi töltéshordozó lyukakat a gate oxid feletti p rétegbõl, vagyiskiürített réteget hoz létre. Az uGS növelésével a villamos tér szabad elektronokat is vonzani kezd azon kívül, hogy a szabad lyukakat eltaszítja. Az elektronok közvetlenforrása a termikus ionizáció általi elektron-lyuk generálás, illetve az n + erõsen szennyezett source réteg. Elegendõen nagy uGS feszültség következtében a szabad elektronok rétege a gateoxid feletti p rétegben erõsen n-típusú vezetõvé válik és rendelkezik az n-típusú félvezetõk minden sajátosságával. A szabad elektronok rétegét inverziós rétegnek vagy csatornának nevezzük. A csatorna összeköti a source-ot és az n- és n+ rétegbõl álló drain tartományt, lehetõvé téve, hogy a source és a drain elektródák között áram folyjék.  \nIonizált acceptorok  \nKiürített réteg  \nInverz réteg szabad elektronokkal  \nn+  \nSource   \nGate vezetõ  \nSiO 2  \n2.38. ábra. A kiürített és inverziós réteg kialakulása  \nAz uGS feszültségnek azt az értékét, amelynél az inverziós réteg kezd kialakulni, UGS( th) küszöbfeszültségnek (threshold-voltage) nevezzük. Ennél nagyobb uGS-nél vastagabbá válik az inverziós r","cbCaifFw56xrHbJN","https://ap.wps.com/l/cbCaifFw56xrHbJN","pdf",249052,24,"Hungarian","en","# 2.5. Teljesítmény-MOSFET-ek\n## MOSFET felépítése és szimbóluma\n## VDMOS szerkezet és rétegek\n## Inverziós réteg kialakulása és UGS(th)\n## Parazita tranzisztor és belső dióda hatása\n## Kimeneti jelleggörbék és üzemállapotok\n## Zárási, aktív és ohmos tartomány feltételei","[{\"question\":\"Milyen előnyökkel rendelkeznek a teljesítmény MOSFET-ek a bipoláris teljesítmény tranzisztorokhoz képest?\",\"answer\":\"Nagy kapcsolási sebességük és feszültségvezérelt jellegük miatt kedvezőek a bipoláris teljesítmény tranzisztorokhoz viszonyítva.\"},{\"question\":\"Mitől függ a MOSFET zárási állapota, és hogyan definiálható a küszöbfeszültség?\",\"answer\":\"Zárásban van, ha uGS - UGS(th) \\u003c 0. A küszöbfeszültség az a gate-source feszültségérték, amelynél az inverziós réteg kezd kialakulni.\"},{\"question\":\"Mikor üzemel a MOSFET az aktív tartományban, és milyen közelítéssel számítható a draináram?\",\"answer\":\"Aktív tartományban, ha 0 \\u003c uGS - UGS(th) \\u003c uDS. Itt a drain áram gyakorlatilag uDS-től független, és közelítve iD ≈ ki × [uGS - UGS(th)]^2 szerint alakul.\"}]","TELJESÍTMÉNYELEKTRONIKAKAPCSOLÓELEMEI - 2.5. TELJESÍTMÉNY-MOSFET-EK - Inverterziós réteg és jelleggörbék | PDF",1791809920]